NAPOLI — Semiconducteurs III-N nanoporeux fabriqués par sublimation selective pour l’optoélectronique

Les composés à base de GaN épitaxiés sur saphir sont au cœur de l’éclairage à source solide. Cependant le substrat saphir présente des limitations en termes de taille, prix, conductivité thermique, etc. C’est pourquoi un effort important de recherché a été dédié à la croissance de GaN sur Si. Cependant, des problèmes de contrainte et de qualité existent et nécessitent la croissance de couches tampons complexes limitant le développement industriel de cette filière GaN sur Si. Nous proposons d’explorer une nouvelle et simple technique basée sur un procédé de sublimation sélective pour fabriquer des dispositifs à base de (Ga,In)N sur Si. Nous avons montré récemment que ce procédé permet d’obtenir des couches de (Ga,In)N nano-poreuses avec des propriétés optiques fortement améliorées. L’objectif principal du projet est de démontrer que des couches de nitrures nano-poreuses peuvent être utilisées pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques efficaces sur substrat Si.