DIAMWAFEL — Substrats de diamant conducteur pour des applications industrielles en électronique de puissance

Le projet DIAMWAFEL a pour objectif majeur de développer un wafer de diamant hétéroépitaxié de qualité électronique à partir d’une multicouche originale de Ir/SrTiO3/Si (001). Des films de diamant de dopage contrôlé (de type p et n) seront réalisés sur des templates hétéroépitaxiés en utilisant du bore et du phosphore, respectivement. Ce projet fournira toutes les briques technologiques nécessaires à la fabrication de composants en diamant de type diodes Schottky (planaire ou verticale). Les propriétés électroniques des diodes Schottky seront évaluées. Des wafers de diamant hétéroépitaxiés d’un pouce seront réalisés pendant le projet. Dans le contexte international, la France possède de sérieux atouts pour initier une filière industrielle produisant des wafers de diamant hétéroépitaxiés. Le consortium de DIAMWAFEL combine les différentes expertises requises : les substrats de SrTiO3 /Si (001) (INL), le diamant hétéroepitaxié sur iridium (CEA LIST), la croissance de films de diamant dopés au bore (NEEL, LSPM), au phosphore (GEMaC) et la technologie des composants et leurs caractérisations électriques (NEEL). La principale perspective du projet DIAMWAFEL est l’exploitation industrielle. Plusieurs entreprises françaises ont déjà manifesté leur intérêt.