GOPOWER — Accélérer la démonstration du potentiel de l'Oxyde de Gallium pour les applications du domaine de l'énergie

Le projet GOPOWER relève de l'axe " Sciences de base pour l’Energie ". Son objectif principal est de d’étendre le potentiel de Ga2O3, oxyde semiconducteur à ultra large bande interdite (~5 eV), comme matériau pour l’électronique haute puissance à très haute tension (> 6,5 kV) pour des applications du domaine de l’énergie, notamment le transport électrique et les « smart grids ». Jusqu'à présent, les dispositifs à base Ga2O3 existants ne sont qu'unipolaires. Le défi de GOPOWER est la maitrise du dopage de type-p de Ga2O3, afin d'ouvrir la voie des composants bipolaires à haute puissance. Nous visons, à cet effet, la réalisation de couches 2-inch Ga2O3 épitaxiées, dopées de type-p, et de structures de type diode PiN. Dans ce but, une stratégie par calculs ab-initio, élaboration de matériaux, caractérisations avancées des propriétés semiconductrices, et simulations des composants, sera développée en s'appuyant sur les expertises uniques et complémentaires d'un consortium international.