HOT-MWIR — Photodétecteur et matrice de détecteurs à superréseaux "Ga-free" fonctionnant à haute température dans la totalité de la gamme spectrale du moyen infrarouge

Photodétecteur et matrice de détecteur à superréseaux "Ga-free" fonctionnant à haute température dans la totalité de la gamme spectrale du moyen infrarouge Une augmentation de la température de fonctionnement des matrices de détecteurs infrarouges (IR-FPA) refroidis haute performance conduirait à une réduction de la taille, du poids et de la consommation énergétique de la machine à froid ce qui permettrait d'accéder à de nouvelles applications où les besoins des caméras IR en termes de portabilité, de compacité et d'autonomie énergétique sont essentielles. Actuellement, les technologies de photodétecteurs fonctionnant à haute température (T = 150K), en particulier le détecteur InAsSb, ne couvrent qu'une partie du domaine spectral du moyen infrarouge (MWIR), pour des longueurs d'ondes en deçà de 4,2µm. Etendre la longueur d'onde de coupure à la totalité du domaine MWIR, jusqu'à 5µm pour une température de fonctionnement au moins égale à 150K, sans dégradation de performance, présenterait des avantages radiométriques indéniables. En associant les avantages des superréseaux (SR) de matériaux semiconducteurs, en particulier en ce qui concerne la flexibilité en longueur d'onde de coupure de ces nanostructures périodiques, avec ceux des nouvelles architectures de structures à barrière, appelées XBn, le projet HOT-MWIR a pour objectif de fabriquer et d'étudier la première matrice de photodétecteur "Ga-free" (sans Gallium) à base de superréseau de type II InAs/InAsSb (T2SL). Le photodétecteur à SR "Ga-free" sur substrat GaSb sera conçu dans une configuration XBn avec une longueur d'onde de coupure à 5 µm, afin d'adresser la totalité de la fenêtre de transparence MWIR. Les matrices de détecteurs à SR "Ga-free" au format 320 x 256 pixels (format TV/4) au pas pixel de 30 µm, seront fabriquées, hybridées puis évaluées pour une température de fonctionnement supérieure ou égale à 150K. Pour atteindre cet objectif ambitieux, le projet HOT-MWIR implique cinq laboratoires français présentant des compétences scientifiques et techniques très complémentaires : trois laboratoires universitaires (IES, LPA, ILV), un partenaire industriel (THALES - III-V Lab) et une structure EPIC (ONERA). Ces compétences pluridisciplinaires sont nécessaires pour de mener des études fondamentales et appliquées, allant de la croissance des structures à SR InAs/InAsSb par épitaxie par jets moléculaires (EJM) jusqu'à l'hybridation des matrices de détecteurs sur circuit de lecture et à leurs caractérisations radiométriques, en passant par des études détaillées sur les propriétés optiques des nanostructures, la physique des dispositifs et la chimie des surfaces et interfaces telles que la modélisation des SR par un modèle k.p. multibandes, des caractérisations fines d'échantillons superréseaux par magnéto-spectroscopie, la gravure et la passivation des mono-éléments (pixel) et des matrices de détecteurs, ainsi qu'une étude spécifique du retrait de substrat GaSb en utilisant des substances chimiques non polluantes pour l'environnement et non dangereuse pour la santé (conditions REACH). Compte tenu du nombre important de défis à relever dans le cadre de ce projet, 48 mois sont prévus pour réaliser et évaluer la première matrice de photodétecteur à SR "Ga-free" pour le MWIR.